Levas rašė:
> Full bridge. Induktyvine+C+trafas+C apkrova (indukcinis kaitinimas)

Schemą, schemą!
Tai nedaug tepasako. Gate'ai kaip kondikai, galėjo dėl nuotėkio 
susikaupti pakankamas krūvis (jei driver'io išėjimas kažkuriuo momentu 
„kabo“, t.y. floating), galėjo dėl per didelės impulsinės srovės (virš 
300 A; įtampa tai pakilo...), galėjo nepakakti dead-time. Beje, kiek 
matau, tai IGBT gate'ai valdomi per kelių omų varžas ir nuo jos 
priklauso apskaičiuojamas dead-time...
O kažkokio microsemi IGBT modulio, kurio dinaminės charakteristikos tik 
~2x lėtesnės, už taviškių IGBT IR kurio switching frequency yra *tik* 
iki 50 kHz, tas min dead-time gaunasi apie ~800 ns...
(tai pasitikrink ką ten pribūrei ir ar tie tavo IGBT gali patempti tokį 
dažnį)